NSBC114EPDXV6T1G, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001011316
- Артикул
- NSBC114EPDXV6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN|PNP
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 25 ₽)
Минимальный заказ: 1200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans Digital BJT NPN/PNP 50 В 100 мА 500 МВт 6-контактный SOT-563 T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN|PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Flat |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | NSBC114EPDXV6 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Configuration | Dual |
| Supplier Package | SOT-563 |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 35 5mA 10V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 10 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25 0.3mA 10mA |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 35 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 |