NSBC114EPDP6T5G, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001204605
- Артикул
- NSBC114EPDP6T5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- Длина
- 1 mm
- Серия
- NSBC114EPDP6
- Высота
- 0.37 mm
Цена по запросу
(от 65 ₽)
Минимальный заказ: 470 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SOT-963 COMP NBRT
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | NSBC114EPDP6 |
| Высота | 0.37 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-963-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Размер фабричной упаковки | 8000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |