NSBC114EDXV6T1G, 35@5mA,10V 250mV@10mA,300uA 2 NPN - Pre-Biased 500mW 100mA 50V 500nA SOT-563 Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017637406
- Артикул
- NSBC114EDXV6T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.03
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- NSBC114EDXV6
Цена по запросу
(от 48 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V Dual NPN
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | NSBC114EDXV6 |
| Package Type | SOT-563 |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base-Emitter Resistor | 10kΩ |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Input Resistor | 10 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Transistor Configuration | Dual |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 357 mW |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 35 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 |