Моя заявка (0)
NSBC114EDXV6T1G, Digital Transistors 100mA 50V Dual NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005374990
Артикул
NSBC114EDXV6T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
6
Вес, г
0.003
Длина
1.6 mm
Серия
NSBC114EDXV6
Цена по запросу
(от 32,24 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V Dual NPN

Технические параметры

Pin Count6
Вес, г0.003
Длина1.6 mm
СерияNSBC114EDXV6
Package TypeSOT-563
Высота0.55 mm
Ширина1.2 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base-Emitter Resistor10kΩ
Вид монтажаSMD/SMT
Typical Input Resistor10 kΩ
Typical Resistor Ratio1
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Transistor ConfigurationDual
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation500 mW
Number of Elements per Chip2
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-563-6
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage50 V dc
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности357 mW
Размер фабричной упаковки4000
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление10 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Типичный коэффициент деления резистора1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.35
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)35

Техническая документация