Моя заявка (0)

NSBC114EDP6T5G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 408mW 6-Pin SOT-963 T/R

NSBC114EDP6T5G, Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 408mW 6-Pin SOT-963 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001015206
Артикул
NSBC114EDP6T5G
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Brand:
onsemi
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 2200 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SOT-963 DUAL NBRT

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TypeNPN
Brand:onsemi
EU RoHSCompliant
Series:NSBC114EDP6
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveYes
Lead ShapeFlat
Вес, г1
PCB changed6
Part StatusActive
Subcategory:Transistors
ConfigurationDual
Manufacturer:onsemi
Package Width0.8
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Configuration:Dual
Package Height0.37
Package Length1
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-963-6
Supplier PackageSOT-963
Product Category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
Структураnpn
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Transistor Polarity:NPN
Standard Package NameSC-89
Typical Resistor Ratio1
Minimum DC Current Gain35@5mA@10V
Typical Input Resistor:10 kOhms
Typical Resistor Ratio:1
Peak DC Collector Current:100 mA
Continuous Collector Current:100 mA
Minimum DC Current Gain Range30 to 50
Typical Input Resistor (kOhm)10
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)408
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)100
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:8000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.25@0.3mA@10mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация