Моя заявка (0)

NP89N04PUK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 90A 2.95mohm TO-263 / D2PAK

NP89N04PUK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 90A 2.95mohm TO-263 / D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031190478
Артикул
NP89N04PUK-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
8 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
12 ns
Цена по запросу
(от 273,81 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:8 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:12 ns
Вес, г4
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-263
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Package/Case:TO-263-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:68 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Особенности-
Pd - Power Dissipation:147 W
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:65 ns
Id - Continuous Drain Current:90 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:30 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А90
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.95 mOhms

Техническая документация