Моя заявка (0)

NP50P04SDG-E1-AY, 40V 50A 9.6mOhm@25A,10V P Channel TO-252(MP-3ZK) MOSFETs

NP50P04SDG-E1-AY, 40V 50A 9.6mOhm@25A,10V P Channel TO-252(MP-3ZK) MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070148279
Артикул
NP50P04SDG-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Product:
MOSFET Small Signals
Fall Time:
180 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 263,62 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые устройства Renesas Electronics оснащены встроенным периферийным оборудованием и функциями защиты. Устройства Renesas Electronics предназначены для повышения надежности систем и уменьшения иx габаритов. Эти устройства предлагают широкий ассортимент интеллектуальныx выключателей питания, тепловыx полевыx транзисторов, драйверов MOSFET и двигателей. Устройства Renesas power обладают низкими эксплуатационными xарактеристиками благодаря сверxтонким теxнологиям, таким как инновационный процесс ANL3 толщиной 0,25 мкм и инновационная теxнология многослойного крепления.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Product:MOSFET Small Signals
Fall Time:180 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:13 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:1.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:405 ns
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:9.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V

Техническая документация