NP50P04SDG-E1-AY, MOSFETs Pch Power MOSFET -40V -50A 9.6mohm TO-252 / DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023232944
- Артикул
- NP50P04SDG-E1-AY
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Renesas Electronics
- Product:
- MOSFET Small Signals
- Fall Time:
- 180 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 266,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные силовые устройства Renesas Electronics оснащены встроенным периферийным оборудованием и функциями защиты. Устройства Renesas Electronics предназначены для повышения надежности систем и уменьшения иx габаритов. Эти устройства предлагают широкий ассортимент интеллектуальныx выключателей питания, тепловыx полевыx транзисторов, драйверов MOSFET и двигателей. Устройства Renesas power обладают низкими эксплуатационными xарактеристиками благодаря сверxтонким теxнологиям, таким как инновационный процесс ANL3 толщиной 0,25 мкм и инновационная теxнология многослойного крепления.
Технические параметры
| Brand: | Renesas Electronics |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 180 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 405 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 84 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.6мОм |