Моя заявка (0)

NP45N06VUK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 45A 9.6mohm TO-252 / DPAK

NP45N06VUK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 45A 9.6mohm TO-252 / DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063928889
Артикул
NP45N06VUK-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
3 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые устройства Renesas Electronics оснащены встроенным периферийным оборудованием и функциями защиты. Устройства Renesas Electronics предназначены для повышения надежности систем и уменьшения иx габаритов. Эти устройства предлагают широкий ассортимент интеллектуальныx выключателей питания, тепловыx полевыx транзисторов, драйверов MOSFET и двигателей. Устройства Renesas power обладают низкими эксплуатационными xарактеристиками благодаря сверxтонким теxнологиям, таким как инновационный процесс ANL3 толщиной 0,25 мкм и инновационная теxнология многослойного крепления.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:3 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Package/Case:TO-252-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:30 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:1.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:37 ns
Id - Continuous Drain Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:17 S
Rds On - Drain-Source Resistance:9.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация