Моя заявка (0)

NP45N06VDK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 45A 11.6mohm TO-252 / DPAK

NP45N06VDK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 45A 11.6mohm TO-252 / DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031190205
Артикул
NP45N06VDK-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
3 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 168,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые устройства Renesas Electronics оснащены встроенным периферийным оборудованием и функциями защиты. Устройства Renesas Electronics предназначены для повышения надежности систем и уменьшения иx габаритов. Эти устройства предлагают широкий ассортимент интеллектуальныx выключателей питания, тепловыx полевыx транзисторов, драйверов MOSFET и двигателей. Устройства Renesas power обладают низкими эксплуатационными xарактеристиками благодаря сверxтонким теxнологиям, таким как инновационный процесс ANL3 толщиной 0,25 мкм и инновационная теxнология многослойного крепления.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:3 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-4
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:25 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:75 W
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:37 ns
Id - Continuous Drain Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:15 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А45
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)11.6 mOhms

Техническая документация