Моя заявка (0)

NP45N06PUK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 45A 9.6mohm TO-263 / D2PAK

NP45N06PUK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 45A 9.6mohm TO-263 / D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063928902
Артикул
NP45N06PUK-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
3 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
5 ns
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:3 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-4
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:30 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Pd - Power Dissipation:1.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:37 ns
Id - Continuous Drain Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:17 S
Rds On - Drain-Source Resistance:9.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация