NP36P06KDG-E1-AY, MOSFETs Pch Power MOSFET -60V -36A 29.5mohm TO-263 / D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031189733
- Артикул
- NP36P06KDG-E1-AY
- Бренд
- Renesas Technology
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P Channel
- Корпус
- TO-263
- Power Dissipation
- 56Вт
Цена по запросу
(от 242,49 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P Channel |
| Корпус | TO-263 |
| Power Dissipation | 56Вт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0231Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 36А |
| Рассеиваемая Мощность | 56Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0231Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 29.5мОм |