Моя заявка (0)

NP36P04SDG-E1-AY, MOSFETs Pch Power MOSFET -40V -36A 17mohm TO-252 / DPAK

NP36P04SDG-E1-AY, MOSFETs Pch Power MOSFET -40V -36A 17mohm TO-252 / DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024842314
Артикул
NP36P04SDG-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Product:
MOSFET Small Signals
Fall Time:
140 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 209,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Product:MOSFET Small Signals
Fall Time:140 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:10 ns
Вес, г0.33
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3(TO-252-3)
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:250 ns
Id - Continuous Drain Current:36 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:17 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)17мОм

Техническая документация