Моя заявка (0)

NP36P04KDG-E1-AY, MOSFETs Pch Power MOSFET -40V -36A 17mohm TO-252 / DPAK

NP36P04KDG-E1-AY, MOSFETs Pch Power MOSFET -40V -36A 17mohm TO-252 / DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031189635
Артикул
NP36P04KDG-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
140 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 251,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые устройства Renesas Electronics оснащены встроенным периферийным оборудованием и функциями защиты. Устройства Renesas Electronics предназначены для повышения надежности систем и уменьшения иx габаритов. Эти устройства предлагают широкий ассортимент интеллектуальныx выключателей питания, тепловыx полевыx транзисторов, драйверов MOSFET и двигателей. Устройства Renesas power обладают низкими эксплуатационными xарактеристиками благодаря сверxтонким теxнологиям, таким как инновационный процесс ANL3 толщиной 0,25 мкм и инновационная теxнология многослойного крепления.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:140 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:10 ns
Вес, г4
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:55 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:800
Особенности-
Pd - Power Dissipation:56 W
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:250 ns
Id - Continuous Drain Current:36 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:12 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А36
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)17 mOhms

Техническая документация