Моя заявка (0)

NP35N04YLG-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 35A 9.7mohm SON-8 5x6

NP35N04YLG-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 35A 9.7mohm SON-8 5x6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024361120
Артикул
NP35N04YLG-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
5 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
11 ns
Цена по запросу
(от 206,56 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:5 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:11 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:HSON-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:34 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:77 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Typical Turn-Off Delay Time:43 ns
Id - Continuous Drain Current:35 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:15 S
Rds On - Drain-Source Resistance:9.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)9.7мОм

Техническая документация