Моя заявка (0)

NP30N04QUK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 30A 8mohm SON-8 5x6, Транзистор

NP30N04QUK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 40V 30A 8mohm SON-8 5x6, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062269310
Артикул
NP30N04QUK-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
6 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
8 ns
Цена по запросу
(от 334,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:6 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:8 ns
Вес, г0.28
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Package/Case:HSON-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:27 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:59 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:20 ns
Typical Turn-Off Delay Time:47 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:13 S
Rds On - Drain-Source Resistance:8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация