NP29N04QUK-E1-AY, MOSFETs LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024979557
- Артикул
- NP29N04QUK-E1-AY
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Renesas Electronics
- Fall Time:
- 6 ns
- Rise Time:
- 4 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 253,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.
Технические параметры
| Brand: | Renesas Electronics |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 4 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Package/Case: | HSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Структура | Power MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 44 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |