Моя заявка (0)

NP20P06YLG-E1-AY, MOSFETs Pch Power MOSFET -60V -20A 47mohm SON-8 5x6

NP20P06YLG-E1-AY, MOSFETs Pch Power MOSFET -60V -20A 47mohm SON-8 5x6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024361880
Артикул
NP20P06YLG-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
80 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
8 ns
Цена по запросу
(от 179,66 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:80 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:8 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Package/Case:HSON-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:34 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:57 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:160 ns
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:9 S
Rds On - Drain-Source Resistance:47 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)47мОм

Техническая документация