Моя заявка (0)

NP100P04PDG-E1-AY, 40V 100A 3.5mOhm@10V,50A P Channel TO-263 MOSFETs

NP100P04PDG-E1-AY, 40V 100A 3.5mOhm@10V,50A P Channel TO-263 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070081583
Артикул
NP100P04PDG-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
100 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
30 ns
Цена по запросу
(от 397,10 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:100 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:30 ns
Вес, г2.09
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:320 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:800
Pd - Power Dissipation:1.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:38 ns
Typical Turn-Off Delay Time:300 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:43 S
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация