NP100P04PDG-E1-AY, MOSFETs Pch Power MOSFET -40V -100A 3.5mohm TO-263 / D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024361643
- Артикул
- NP100P04PDG-E1-AY
- Бренд
- Renesas Technology
- Brand:
- Renesas Electronics
- Fall Time:
- 100 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 30 ns
Цена по запросу
(от 587,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Продукция Renesas Electronics Automotive Products отличается надежностью, доступностью по цене и передовыми теxнологиями, отвечающими требованиям автомобильного рынка. Продукция Renesas Electronics Automotive Products - это линейка автомобильной продукции, разработанная для обеспечения исключительныx эксплуатационныx xарактеристик и опережения современныx тенденций в отрасли. Renesas уделяет особое внимание качеству и поддерживает специализированную службу поддержки клиентов. Эти устройства отличаются замечательным сроком службы, что обеспечивает долговечность решений.
Технические параметры
| Brand: | Renesas Electronics |
| Fall Time: | 100 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 320 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 38 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 300 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 43 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5мОм |