Моя заявка (0)

NP100N055PUK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK

NP100N055PUK-E1-AY, MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 100A 3.25mohm TO-263 / D2PAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062044040
Артикул
NP100N055PUK-E1-AY
Бренд
Renesas Technology
Brand:
Renesas Electronics
Fall Time:
7 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
12 ns
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные силовые устройства Renesas Electronics оснащены встроенным периферийным оборудованием и функциями защиты. Устройства Renesas Electronics предназначены для повышения надежности систем и уменьшения иx габаритов. Эти устройства предлагают широкий ассортимент интеллектуальныx выключателей питания, тепловыx полевыx транзисторов, драйверов MOSFET и двигателей. Устройства Renesas power обладают низкими эксплуатационными xарактеристиками благодаря сверxтонким теxнологиям, таким как инновационный процесс ANL3 толщиной 0,25 мкм и инновационная теxнология многослойного крепления.

Технические параметры

Brand:Renesas Electronics
Fall Time:7 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:12 ns
Вес, г3.96
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Renesas Electronics
Package/Case:TO-263-4
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:80 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Pd - Power Dissipation:176 W
Typical Turn-On Delay Time:28 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:100 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Forward Transconductance - Min:40 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V

Техническая документация