NJW0302G, Trans GP BJT PNP 250V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001030048
- Артикул
- NJW0302G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 4.8 mm
- Height
- 18.7 mm
Цена по запросу
(от 516 ₽)
Минимальный заказ: 60 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 150W
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 4.8 mm |
| Height | 18.7 mm |
| Length | 15.6 mm |
| Series | NJW0302 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.7 |
| Длина | 15.6 mm |
| Серия | NJW0302 |
| Unit Weight | 0.238311 oz |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | TO-3P |
| Высота | 18.7 mm |
| Корпус | TO-3P |
| Ширина | 4.8 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Упаковка | Tube |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - Power Dissipation | 150000 mW |
| DC Current Gain hFE Max | 75 |
| Minimum DC Current Gain | 75 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 30 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 250 V |
| Maximum DC Collector Current | 15 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 75 |
| Maximum Collector Base Voltage | 250 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -250 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 250 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 150000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 250 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 250 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 15 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 75 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |