Моя заявка (0)

NJVNJD2873T4G, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 2А; 15Вт; TO252

NJVNJD2873T4G, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 2А; 15Вт; TO252

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059285433
Артикул
NJVNJD2873T4G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.47
Серия:
NJD2873
Package Type
DPAK(TO-252)
Цена по запросу
(от 76,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 2.0 A, 50 V NPN Bipolar Power Transistor

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.47
Серия:NJD2873
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
Transistor ConfigurationSingle
Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
Maximum Power Dissipation15 W
Квалификация:AEC-Q101
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
Maximum Operating Frequency0.1 MHz
Number of Elements per Chip1
Производитель:ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current2 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Торговая марка:ON Semiconductor
Упаковка / блок:DPAK-3
Maximum Operating Temperature+175 °C
Maximum Collector Base Voltage50 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистора:NPN
Pd - рассеивание мощности:15 W
Размер фабричной упаковки:2500
Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
Непрерывный коллекторный ток:2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO):50 V
Минимальная рабочая температура:- 65 C
Максимальная рабочая температура:+ 175 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:0.3 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:360
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):65 MHz

Техническая документация