NJVNJD2873T4G, Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001053633
- Артикул
- NJVNJD2873T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Серия:
- NJD2873
- Package Type
- DPAK(TO-252)
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 966 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 2.0 A, 50 V NPN Bipolar Power Transistor
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия: | NJD2873 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252/DPAK |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Transistor Configuration | Single |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 15 W |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | Transistors |
| Maximum Operating Frequency | 0.1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Торговая марка: | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок: | DPAK-3 |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Pd - рассеивание мощности: | 15 W |
| Размер фабричной упаковки: | 2500 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | 50 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 65 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 0.3 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 360 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 65 MHz |