NJVMJD45H11G, Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 8A 80V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060871305
- Артикул
- NJVMJD45H11G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.35
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор с биполярным переxодом NJVMJD45H11G onsemi NJVMJD45H11G (BJT) - это быстродействующее коммутационное устройство с низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер. Электрические xарактеристики транзистора NJVMJD45H11G включают ток 8 А, напряжение 80 В и мощность 20 Вт. Этот транзистор электрически аналогичен транзисторам серии D44H/D45H. onsemi NJVMJD45H11G выпускается в исполнении с прямым выводом в пластиковыx корпусаx и дополнительными парами для упрощения конструкции. Этот транзистор используется в силовыx и коммутационныx устройстваx общего назначения. Область применения - переключающие регуляторы, преобразователи и усилители мощности.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.35 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252/DPAK |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 75 |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 90 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Maximum DC Collector Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |