NJVMJD32CT4G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000247446
- Артикул
- NJVMJD32CT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.426
- Корпус
- DPAK/TO-252
- Power Dissipation
- 15Вт
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 111 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.426 |
| Корпус | DPAK/TO-252 |
| Power Dissipation | 15Вт |
| Структура | pnp |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Continuous Collector Current | 3А |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |