NJVMJD31CT4G, Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 15Вт, DPAK
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021948714
- Артикул
- NJVMJD31CT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.5
- Корпус
- TO-252/DPAK
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 58,89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1.5 |
| Корпус | TO-252/DPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Collector Current (Ic) | 3A |
| Power Dissipation (Pd) | 1.56W |
| Transition Frequency (fT) | 3MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 25@1A, 4V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.2V@3A, 375mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |