NJVMJD3055T4G, 20uA 60V 20W 20@4A,4V 10A 2MHz 8V@10A,3.3A NPN -55°C~+150°C@(Tj) TO-252 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061893552
- Артикул
- NJVMJD3055T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.59
- Power - Max
- 1.75 W
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 117,17 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный (BJT) транзистор NPN 60 В 10 А 2 МГц 1,75 Вт для поверxностного монтажа DPAK
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.59 |
| Power - Max | 1.75 W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | DPAK/TO-252 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Frequency - Transition | 2MHz |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Gain Bandwidth Product fT: | 2 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 70 V |
| Maximum DC Collector Current: | 10 A |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.1 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 4V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |