NJVMJD122T4G, 100V 1000@4V,4A NPN 4MHz 10uA 8A 1.75W -65°C~+150°C@(Tj) 4V@8A,80mA TO-252 DarlIngton TransIstors
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017626240
- Артикул
- NJVMJD122T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.48
- Корпус
- DPAK/TO-252
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 217,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100V 1000@ 4V, 4A NPN 8A 1,75 Вт DPAK Транзисторы Дарлингтона ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.48 |
| Корпус | DPAK/TO-252 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Collector Current (Ic) | 8A |
| Power Dissipation (Pd) | 1.75W |
| Transition frequency (fT) | - |
| DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 1000@4V, 4A |
| Collector-emitter voltage (Vceo) | 100V |
| Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 10uA |
| Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 4V@80mA, 8A |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |