Моя заявка (0)

NJVMJD122T4G, Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR

NJVMJD122T4G, Darlington Transistors BIP DPAK NPN 8A 100V TR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005374501
Артикул
NJVMJD122T4G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.05
Корпус
TO-252/DPAK
Transistor Type
NPN
Структура
npn
Цена по запросу
(от 104,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

100V 1000@ 4V, 4A NPN 8A 1,75 Вт DPAK Транзисторы Дарлингтона ROHS

Технические параметры

Вес, г0.05
КорпусTO-252/DPAK
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Operating Temperature-65℃~+150℃@(Tj)
Collector Current (Ic)8A
Power Dissipation (Pd)1.75W
Transition frequency (fT)-
DC current gain (hFE@Vce,Ic)1000@4V, 4A
Collector-emitter voltage (Vceo)100V
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)10uA
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)4V@80mA, 8A
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8

Техническая документация