NJVMJB45H11T4G, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005374499
- Артикул
- NJVMJB45H11T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.42
- Серия
- MJB45H11
- Power Dissipation
- 50Вт
- Структура
- pnp
Цена по запросу
(от 154,75 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 80V TR
Технические параметры
| Вес, г | 1.42 |
| Серия | MJB45H11 |
| Power Dissipation | 50Вт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Continuous Collector Current | 10А |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Частота Перехода ft | 40МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 at - 2 A, - 1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |