NJVMJB45H11T4G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 10 A, 50 W, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004132255
- Артикул
- NJVMJB45H11T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.4
- Серия
- MJB45H11
- Корпус
- TO-263
- Power Dissipation
- 50Вт
Цена по запросу
(от 324 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 8A 80V TR
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Серия | MJB45H11 |
| Корпус | TO-263 |
| Power Dissipation | 50Вт |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Continuous Collector Current | 10А |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Частота Перехода ft | 40МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 20 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 at - 2 A, - 1 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 40 MHz |