Моя заявка (0)
NJVMJB42CT4G, Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 6A 100V TR

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005547391
Артикул
NJVMJB42CT4G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1.42
Серия
MJB42C
Структура
pnp
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 159,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 6A 100V TR

Технические параметры

Вес, г1.42
СерияMJB42C
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокD2PAK-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности65 W
Размер фабричной упаковки800
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток6 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.100 V
Максимальный постоянный ток коллектора10 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.75
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)15
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)3 MHz

Техническая документация