NJVMJB41CT4G, 2W 15@3A,4V NPN D2PAK BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026248934
- Артикул
- NJVMJB41CT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1.74
- Серия
- MJB41C
- Корпус
- d2pak
- Power Dissipation
- 65Вт
Цена по запросу
(от 175,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 6A 100V TR
Технические параметры
| Вес, г | 1.74 |
| Серия | MJB41C |
| Корпус | d2pak |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 15hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Continuous Collector Current | 6А |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| DC Усиление Тока hFE | 15hFE |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 75 at 3 A at 4 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 at 0.5 A at 10 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |