NJV4031NT1G, 100nA 40V 2W 200@1A,1V 3A 215MHz 300mV@3A,300mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646645
- Артикул
- NJV4031NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.24
- Серия
- NJT4031N
- Корпус
- SOT-223
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP
Технические параметры
| Вес, г | 0.24 |
| Серия | NJT4031N |
| Корпус | SOT-223 |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 15 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 215 MHz |