Моя заявка (0)

NJV4030PT1G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount

NJV4030PT1G, Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8798011817
Артикул
NJV4030PT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
Yes
Type
PNP
EU RoHS
Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000 МВт Автомобильный 4-контактный (3+ вкладки) SOT-223 T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPYes
TypePNP
EU RoHSCompliant with Exemption
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.454
PCB changed3
Part StatusActive
КорпусSOT-223
ConfigurationSingle Dual Collector
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageSOT-223
Структураpnp
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain220 0.5A 1V|200 1A 1V|100 3A 1V
Maximum Base Current (A)1
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Maximum DC Collector Current (A)3
Maximum Emitter Base Voltage (V)6
Maximum Collector Base Voltage (V)40
Maximum Transition Frequency (MHz)160(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)40
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1 0.1A 1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.15 5mA 0.5A|0.2 10mA 1A|0.5 0.3A 3A
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40

Техническая документация