NJT4031NT1G, Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001147510
- Артикул
- NJT4031NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3+Tab
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.5 mm
- Серия
- NJT4031N
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 240 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 40V LO SAT BP
Технические параметры
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | NJT4031N |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.57 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 40 V dc |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 215 MHz |