NJT4030PT3G,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8622794042
- Артикул
- NJT4030PT3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Вес, г
- 0.205
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор силовой биполярный SOT-223-4 / TO-261-4
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Вес, г | 0.205 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 160 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 220 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 40 |