Моя заявка (0)

NJD1718T4G, 50V 70@500mA,2V 1.68W 2A PNP DPAK-3 Bipolar (BJT) ROHS

NJD1718T4G, 50V 70@500mA,2V 1.68W 2A PNP DPAK-3 Bipolar (BJT) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062453328
Артикул
NJD1718T4G
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
Type
PNP
Material
Si
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680 МВт 3-контактный(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
TypePNP
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.47
PCB changed2
Part StatusActive
КорпусTO-252/DPAK
ConfigurationSingle
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageDPAK
Структураpnp
Standard Package NameTO-252
Minimum DC Current Gain70@0.5A@2V|40@1.5A@2V
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)1680
Maximum DC Collector Current (A)2
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Base Voltage (V)50
Maximum Transition Frequency (MHz)80(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1.2@0.05A@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.5@0.05A@1A
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2

Техническая документация