NJD1718T4G, 50V 70@500mA,2V 1.68W 2A PNP DPAK-3 Bipolar (BJT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048309419
- Артикул
- NJD1718T4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 224 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT PNP 50V 2A 1680 МВт 3-контактный(2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.47 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Корпус | TO-252/DPAK |
| Configuration | Single |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | DPAK |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Minimum DC Current Gain | 70@0.5A@2V|40@1.5A@2V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1680 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 80(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.2@0.05A@1A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@0.05A@1A |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |