Моя заявка (0)

NHUMD9F, 100@10mA,5V 1 PNP Pre-Biased Transistor, 1 NPN 350mW 100mA 80V TSSOP-6 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS

NHUMD9F, 100@10mA,5V 1 PNP Pre-Biased Transistor, 1 NPN 350mW 100mA 80V TSSOP-6 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070177537
Артикул
NHUMD9F
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.12
Power Dissipation
350мВт
Структура
pnp
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Цена по запросу
(от 23,23 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.12
Power Dissipation350мВт
Структураpnp
DC Current Gain hFE Min100hFE
КвалификацияAEC-Q101
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max NPN80В
Collector Emitter Voltage Max PNP80В
Линейка ПродукцииNHUMD9 Series
Количество Выводов6 Выводов
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSC-88
Полярность ТранзистораNPN and PNP Complement
Резистор База-эмиттер R247кОм
Резистор На входе Базы R110кОм
Стиль Корпуса ТранзистораSC-88
Напряжение Коллектор-Эмиттер80В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R20.21соотношение
Максимальная Рабочая Температура150°C
Полярность Цифрового ТранзистораNPN и PNP
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация