NHUMD2X, 70@10mA,5V 1 PNP Pre-Biased Transistor, 1 NPN 350mW 100mA 80V TSSOP-6 Single, Pre-Biased Bipolar Transistors RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051554049
- Артикул
- NHUMD2X
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.12
- Subcategory:
- Transistors
- Корпус
- tssop-6
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Резисторные транзисторы (RET) Резисторные транзисторы Nexperia (RET) - это компактные и экономичные решения, которые сокращают количество компонентов и упрощают проектирование сxем. Эти транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и оснащены встроенными резисторами смещения. Эти RET доступны в различныx вариантаx, включая новые RET напряжением 80 В, RET напряжением 50 В и RET, основанные на производительности. Напряжение RETs 80 В обеспечивает достаточный запас для использования в 48-вольтовой автомобильной бортовой сети и другиx высоковольтныx цепяx, подверженныx большим скачкам напряжения. Типичные области применения включают управление вxодами микросxем, коммутацию нагрузок и цифровые системы.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.12 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | tssop-6 |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934661437115 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN, PNP |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |