Моя заявка (0)

NHUMD10F, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 80 V, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm

NHUMD10F, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 80 V, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004282469
Артикул
NHUMD10F
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.024
Power Dissipation
350мВт
Структура
npn
DC Current Gain hFE Min
100hFE
Цена по запросу
(от 83 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.024
Power Dissipation350мВт
Структураnpn
DC Current Gain hFE Min100hFE
КвалификацияAEC-Q101
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max NPN80В
Collector Emitter Voltage Max PNP80В
Линейка ПродукцииNHUMD10 Series
Количество Выводов6 Выводов
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSC-88
Полярность ТранзистораNPN and PNP Complement
Резистор База-эмиттер R247кОм
Резистор На входе Базы R12.2кОм
Стиль Корпуса ТранзистораSC-88
Напряжение Коллектор-Эмиттер80В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R20.04соотношение
Максимальная Рабочая Температура150°C
Полярность Цифрового ТранзистораNPN и PNP
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация