Моя заявка (0)

NHDTC114EUF, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 80 V 100 mA 170 MHz 235 mW Surface Mount SOT-323

NHDTC114EUF, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 80 V 100 mA 170 MHz 235 mW Surface Mount SOT-323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064031034
Артикул
NHDTC114EUF
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.05
Корпус
sot-323
Power Dissipation
235мВт
Структура
npn
Цена по запросу
(от 8,90 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.05
Корпусsot-323
Power Dissipation235мВт
Структураnpn
DC Current Gain hFE Min50hFE
КвалификацияAEC-Q101
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max NPN80В
Линейка ПродукцииNHDTC114EU Series
Количество Выводов3 Вывода
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSC-70
Полярность ТранзистораSingle NPN
Резистор База-эмиттер R210кОм
Резистор На входе Базы R110кОм
Стиль Корпуса ТранзистораSC-70
Напряжение Коллектор-Эмиттер80В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R21соотношение
Максимальная Рабочая Температура150°C
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный NPN
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц170

Техническая документация