Моя заявка (0)

NHDTA114ETVL, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 80 V 100 mA 150 MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB

NHDTA114ETVL, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 80 V 100 mA 150 MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063740217
Артикул
NHDTA114ETVL
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.05
Power Dissipation
250мВт
Структура
pnp
DC Current Gain hFE Min
50hFE
Цена по запросу
(от 8,10 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.05
Power Dissipation250мВт
Структураpnp
DC Current Gain hFE Min50hFE
КвалификацияAEC-Q101
Continuous Collector Current100мА
Collector Emitter Voltage Max PNP80В
Линейка ПродукцииNHDTA114ET Series
Количество Выводов3 Вывода
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораTO-236AB
Полярность ТранзистораSingle PNP
Резистор База-эмиттер R210кОм
Резистор На входе Базы R110кОм
Стиль Корпуса ТранзистораTO-236AB
Напряжение Коллектор-Эмиттер80В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Соотношение Сопротивления, R1 / R21соотношение
Максимальная Рабочая Температура150°C
Полярность Цифрового ТранзистораОдиночный PNP
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц150

Техническая документация