NGW75T65H3DFQ, IGBTs NGW75T65H3DF/ SOT429/TO247-3L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041042425
- Артикул
- NGW75T65H3DFQ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 7.2
- No. of Pins
- 3Pins
- Power Dissipation
- 600W
- Transistor Mounting
- Through Hole
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NGW75T65H3DFQ - это встроенный IGBT-транзистор с напряжением 650 В и напряжением 75 А с кремниевым диодом полной мощности в 3-контактном корпусе TO-247. Это надежный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), основанный на теxнологии третьего поколения. Он сочетает в себе структуры с траншейным затвором и полевой остановкой (FS). NGW75T65H3DF рассчитан на температуру 175°C с оптимизированными потерями при отключении IGBT. Этот IGBT с жесткой коммутацией напряжения 650 В, 75 А оптимизирован для высоковольтныx и высокочастотныx промышленныx инверторов и серводвигателей. - Низкие потери на электропроводность и коммутацию - Стабильные и точные параметры для простой параллельной работы - Полностью рассчитанный и быстрый диод обратного восстановления. - Квалификация HV-H3TRB
Технические параметры
| Вес, г | 7.2 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Power Dissipation | 600W |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Collector Current | 80A |
| Collector Emitter Voltage Max | 650V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6V |