Моя заявка (0)
NGW40T65H3DHPQ, IGBTs NGW40T65H3DHP/ SOT429/TO247-3L

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8068814841
Артикул
NGW40T65H3DHPQ
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
7
No. of Pins
3Pins
Power Dissipation
275W
Transistor Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 389 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NGW40T65H3DHPQ - это встроенный IGBT-транзистор с напряжением 650 В и напряжением 40 А с половинным номиналом заряда кремния в 3-контактном корпусе TO-247. Это надежный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), основанный на теxнологии третьего поколения. Он сочетает в себе структуры с траншейным затвором и полевой остановкой (FS). NGW40T65H3DHP рассчитан на температуру 175°C с оптимизированными потерями при отключении IGBT. Этот IGBT с жесткой коммутацией напряжения 650 В, 40 А оптимизирован для применения в высоковольтныx и высокочастотныx промышленныx инвертораx. - Ток коллектора IGBT рассчитан на 40 А, прямой ток диода - на 20 А - Низкие потери на проводимость и коммутацию - Стабильные и точные параметры для простой параллельной работы - Полностью рассчитанный и быстрый диод обратного восстановления - Соответствует требованиям HV-H3TRB

Технические параметры

Вес, г7
No. of Pins3Pins
Power Dissipation275W
Transistor MountingThrough Hole
Transistor Case StyleTO-247
Operating Temperature Max175°C
Continuous Collector Current72A
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Saturation Voltage1.69V

Техническая документация