NGTB15N120FL2WG, БТИЗ 294 Вт -55°C+175°C@(Tj) 30 А 1200 В Trench Field Stop 60 А 0,37 мДж 1,2 мДж TO-247-3 IGBT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059285596
- Артикул
- NGTB15N120FL2WG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7.93
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 856,59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7.93 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 294 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |