NGTB10N60R2DT4G, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 72W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002198998
- Артикул
- NGTB10N60R2DT4G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 189 ₽)
Минимальный заказ: 406 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторная микросxема IGBT N-CH 600V 20A 72 Вт 3-контактный (2+ Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 7.2 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Package Width | 6.22(Max)mm |
| Package Length | 6.73(Max)mm |
| Supplier Package | DPAK |
| Standard Package Name | TO-252 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 72 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.1 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (A) | 20 |
| Typical Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.7 |