NDT456P-VB, 35V 6.2A 40m-@10V,5A 4.2W 1.8V@250uA 95pF@20V P Channel 970pF@20V 9.8nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-223-4 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015836200
- Артикул
- NDT456P-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.17
- Корпус
- SOT-223
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
35 В 6,2 А 40 Мом при 10 В, 5 А 4,2 Вт 1.8V@250uA P-канальные МОП-транзисторы SOT-223-4 соответствуют требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.17 |
| Корпус | SOT-223 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 4.2W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.8nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 970pF@20V |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.2A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 95pF@20V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 35 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 4.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40mΩ@10V, 5A |